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铝碳化硅（AlSiC）复合材料-- IGBT基板大电流IGBT（绝缘栅双极型晶体管）�？樵诠ぷ魇�，会产生大量的热。尤其是工作电流达到600A以上的IGBT�？�。类似功率�？榈姆庾叭裙芾砉ひ罩�，考虑的目标是消除热结。那么，需要在芯片底部和散热器之间的热通道建设尽量畅通。 铜基板具有良好的导热能力，但铜的热膨胀系数接近IGBT芯片的三倍，而且IGBT芯片陶瓷衬底的面积可高达50mmx60mm，这三倍的差异在低功率�？榉庾翱捎锰沾筛餐寤蚨嗖闾沾筛餐謇垂山饩�。高功率�？槿绻猛迦コ性匦酒牡淄痹谙路浇雍仙⑷绕鞯幕�，焊接的铜基板经受不住1000次热循环，焊接外缘就会出现分层脱离。这种情况下，压接方案相对可行。但压接法制造出的�？�，如果长期在震动环境下使用，如轨道机车、电动汽车、飞机等，其可靠性会大幅下降。那么，如何牢固封装高功率IGBT�？�，使其在震动、高温、粉尘等环境下可使用呢？业界的办法是采用AlSiC材料来制作IGBT基板。 AlSiC的典型热膨胀系数为7～9ppm/℃，参考芯片的6 ppm/℃，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板，那么三倍的差异就从本质上消除了。同时AlSiC材质的热导率可高达200～235W/mK (25℃)，比铝合金热导率还高50%。英飞凌试验证明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，经过上万次热循环，�？楣ぷ髁己萌绯�，焊层完好。 AlSiC材料很轻，只有铜材的1/3，和铝差不多，但抗弯强度却和钢材一样好。这使其在抗震性能方面表现优秀，超过铜基板。因此，在高功率电子封装方面，AlSiC材料以其独特的高热导、低热膨胀系数和抗弯强度的结合优势成为不可替代的材质。 |
