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IGBT E1
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商品說明
◆熱膨脹系數與半導體芯片和陶瓷基片有良好的匹配性 ◇具有高的熱循環能力（比銅的熱循環，其上萬次熱循環，模塊仍然工作良好） ◆具有高的熱導率 ◇200W/mK @25℃ ◇只有銅的1/3 ◇2.95-3.05g/cm? ◆剛度大、強度高 ◆表面設計成一平面和一拱面 ◇平面上進行芯片的焊接，拱面與散熱器連接 ◆低成本有槽、孔的鑄造方案 ◆表面處理 ◇表面可鍍啞光鎳、光亮鎳等 ◇鍍后可做阻焊層 |
